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性能指标: 1、加速电压:200V-30kV,10V步进连续可调 2、放大倍数:5x~1000,000x,连续可调 3、分辨率:高真空二次电子像<3.0nm(30kV) 4、探测器系统:高真空二次电子探测器、背散射
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性能指标: 1、几何放大比(3D):1.7-250倍 2、细节分辨率:可达200nm 3、小体素:可达500nm 4、像素:2300x2300 5、探元大小:50微米 6、大试件直径:<1mm-120mm
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性能指标: 1、系统配置800mm焦长光谱仪,具有高光谱分辨率。 2、光谱范围:100cm-1~1000cm-1(473nm激发);50cm-1~6000cm-1(633nm激发)。 3、灵敏度:硅三阶峰的信噪比好于20:1,并能
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性能指标: 1、温度范围:-196C~600°C 2、温度精度和稳定性:0.01C 3、光孔直径:1.3mm 4、样品X,Y轴向移动:16mm 5、样品加热面积:直径22mm 6、加热/冷冻速率:0.01~150"
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性能指怀: 1、垂直应力:0-50MPa; 2、剪切应力:0~40MPa; 3、剪切速度:0~1cm/s; 4、渗透压力:0~10MPa; 5、上下内侧固定环外径φ100mm、上下外侧固定环内径φ150mm; 6、环状应力加
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性能指标: 1、大轴向力2000KN 2、大围压120MPa 设备用途: 1、测定岩石的应力应变曲线一-包括轴向应变及径向应变 2、辅助测定岩石峰值破裂强度 3、辅助测定岩石弹性模量 4、辅助测定岩石泊松比 5、辅助测定